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In mwbqelettronica un mwbgJFET (mwbwacronimo dell'mwcainglese mwcqJunction Field-Effect Transistor, mwcglett. "transistor ad effetto di campo a giunzione") è un tipo di mwcwtransistor a effetto di campo, da considerarsi un ibrido tra il mwdatransistor a giunzione bipolare e il mwdqtransistor a effetto di campo metallo-ossido-semiconduttore (MOSFET).

• Funzionamento

• Bibliografia

• Voci correlate

• Altri progetti

• Collegamenti esterni

È un dispositivo costruito come sandwich di mweqsemiconduttori drogati in modo diverso (P-N-P o N-P-N).

L'intero funzionamento si basa sull'estensione della zona di svuotamento (mwewdepletion layer) all'interno di un canale, in seguito alla mwfapolarizzazione inversa di una giunzione, che viene localizzata tra il terminale di mwfqgate e quello di mwfgsource.

Il canale in cui transita la corrente può essere di tipo N o di tipo P. Le estremità del canale sono collegate a due terminali: il mwgasource ed il mwgqdrain. Per contraddistinguere questi due terminali, si possono paragonare il source all'emettitore del transistor bipolare e il drain al collettore. A differenza del transistor bipolare, però, i terminali non sono fissi ma la loro posizione dipende dai potenziali applicati: diventa morsetto drain quello a potenziale maggiore. L'elemento di controllo (analogo alla base del transistor bipolare) si chiama mwgggate e viene realizzato attraverso una giunzione che, polarizzata inversamente (nel caso P-N-P), ostruirà il passaggio di carica nel canale. Il gate viene collegato con il mwgwbulk e polarizzato a un potenziale inferiore al source (e al drain). Si crea pertanto una zona di svuotamento. Diminuendo ulteriormente la tensione di gate rispetto al source, la zona di svuotamento si estenderà ulteriormente fino a produrre una chiusura del canale (CUT-OFF): in tal caso, l'applicazione di una differenza di potenziale fra drain e source non comporterà alcun passaggio di carica e il dispositivo risulterà interdetto. In particolari condizioni di polarizzazione il canale risulterà invece strozzato (ma non chiuso, PINCH-OFF) e anche aumentando la tensione tra drain e source la corrente rimarrà costante poiché i portatori raggiungono la velocità massima consentita dalla fisica del materiale.

Il JFET è un dispositivo unipolare, poiché solo i portatori maggioritari che costituiscono il canale si occupano della conduzione.

Al contrario del transistor bipolare, la cui grandezza di controllo è la corrente di base, i FET sono controllati in tensione e la corrente assorbita dal gate risulta pertanto molto bassa. È inoltre possibile realizzare JFET con due gate: questi dispositivi sono molto utilizzati per la realizzazione di mixer a mwhgtransconduttanza, utilizzabili per conversione di frequenza anche in microonde.

• mwigAdel Sedra, K.C. Smith, Circuiti per la microelettronica, a cura di Aldo Ferrari, IV edizione, Roma, Edizioni Ingegneria 2000, 2004, pp. 447-451, ISBN 88-86658-15-X.

• mwjwTransistor a effetto di campo

• mwkqTransistor bipolare a gate isolato

• mwkwMESFET

• mwlqMOSFET

• mwlwCMOS

• mwmqTransistor a giunzione bipolare

• mwmwEffetto Early

• mwnqDispositivi a semiconduttore

Altri progetti

• Wikizionario

• Wikimedia Commons

• Wikizionario contiene il lemma di dizionario «JFET»

• Wikimedia Commons contiene immagini o altri file sul JFET

• citereftreccani-itJFET, su Treccani.it – Enciclopedie on line, Istituto dell'Enciclopedia Italiana.

• citerefdizionario-delle-scienze-fisicheJFET, in Dizionario delle scienze fisiche, Istituto dell'Enciclopedia Italiana, 1996.

• citerefbritannica-com(EN) junction field-effect transistor, su Enciclopedia Britannica, Encyclopædia Britannica, Inc.

• citereffoldoc(EN) Denis Howe, Junction Field Effect Transistor, in Free On-line Dictionary of Computing. Disponibile con licenza mwpaGFDL